"

AG竞咪厅✳️【29jin.com】是亚洲最大自主品牌游戏平台,AG竞咪厅,百万大奖等您来拿,注册就可以领取各种活动优惠,AG竞咪厅,无需申请自动到账!

<wbr id="0rgdt"></wbr>
  • <strike id="0rgdt"></strike>
    1. <em id="0rgdt"><span id="0rgdt"><option id="0rgdt"></option></span></em>

      <big id="0rgdt"></big>

          "
          文章列表
          联系我们 产品咨询

          联系人:吴海丽
          电话:0755-2349 0212
          手机:157-1205-5037
          邮箱:[email protected]
          地址:广东省深圳市龙华新区民治街道向南四区松花大厦
          点击这里给我发消息

          1200V碳化硅MOSFET系列选型

          作者:海飞乐技术 时间:2019-08-09 15:09

            SiC材料与目前应该广泛的Si材料相比,较高的热导率决定了其高电流密度的特性,较高的禁带宽度又决定了SiC器件的高击穿场强和高工作温度。其具有禁带宽度大、击穿电场强度高、热导率高、电子饱和速率高等特点,更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。
           
            海飞乐技术SiC MOSFET在开发与应用方面,实现了传统型半导体(Si)实现不了的低损耗,包括提高效率、提升功率密度、降低冷却要求以及降低系统级成本。尤其在高压工作环境下,依然体现优异的电气特性,其高温工作特性,大大提高了高温稳定性,也大幅度提高电气设备的整体效率。
           
            产品可广泛应用于太阳能逆变器、车载电源、新能源汽车电机控制器、UPS、充电桩、功率电源等领域。

          1200V碳化硅MOSFET低导通电阻 
           
          1200V碳化硅MOSFET系列选型
          1200V碳化硅MOSFET芯片1200V碳化硅MOSFET封装 
          1200V碳化硅MOSFET系列选型 
           
           




          上一篇:安森美高功率应用TO247封装IGBT单管
          下一篇:650V/1200V碳化硅肖特基二极管选型

          AG竞咪厅

          <wbr id="0rgdt"></wbr>
        1. <strike id="0rgdt"></strike>
          1. <em id="0rgdt"><span id="0rgdt"><option id="0rgdt"></option></span></em>

            <big id="0rgdt"></big>